产品应用 集成电路:-28-180nm技术节点-逻辑、存储、功率器件-poly,gate,contact,via,metal等工艺层制作产品特点 - 分辨率:0.15-0.25μm- 膜厚:0.4-2μm- 高深宽比,耐刻蚀,耐离子注入,高感光度
产品应用
集成电路:
-28-180nm技术节点-逻辑、存储、功率器件-poly,gate,contact,via,metal等工艺层制作
-28-180nm技术节点
-逻辑、存储、功率器件
-poly,gate,contact,via,metal等工艺层制作
产品特点
- 分辨率:0.15-0.25μm- 膜厚:0.4-2μm- 高深宽比,耐刻蚀,耐离子注入,高感光度
- 分辨率:0.15-0.25μm
- 膜厚:0.4-2μm
- 高深宽比,耐刻蚀,耐离子注入,高感光度